深圳真茂佳半導體有限公司是一家專注于車規中低壓功率器件設計研發、銷售和服務為一體的高新技術企業，擁有廣泛的汽車客戶群體，在車身電子、照明系統、熱管理、智能底盤和域控制器等領域已累積出貨3億多顆中低壓車規功率器件，真茂佳品牌和產品性能、技術質量都已獲得中國新能源汽車客戶的考驗和廣泛認可，已成為國內汽車中低壓功率芯片領域領導者，將致力于成為中國本土全系列中低壓車規Mosfet國產替代進口方案優選供應商。
 

　　

　　2023年11月28日，深圳真茂佳半導體有限公司在由北京市科學技術委員會、北京市經濟和信息化局指導，由北京經開區管委會主辦，蓋世汽車承辦，國家新能源汽車技術創新中心提供支持的“芯向亦莊”汽車芯片大賽做為中低壓功率半導體行業內的領軍企業參與評選并榮獲“2023汽車芯片50強”。

　　

　　11月29日下午，電動汽車聯盟汽車電子元器件工作組籌備會議在中國汽車工程學會舉辦。會議由中國汽車工程學會副秘書長、電動汽車聯盟秘書長趙立金主持，來自航天領域、汽車領域的80多位專家出席會議。

　　

　　為加快汽車電子元器件及配套產業的技術發展，建立健全產業鏈配套體系，中國汽車工程學會與中國科學院空間應用工程與技術中心擬共同發起成立“電動汽車產業技術創新戰略聯盟汽車電子元器件工作組”，深圳真茂佳半導體有限公司作為國內杰出的中低壓功率半導體企業代表參加了工作組籌備工作，后續該組織將開展產業研究、標準研制、技術研討等工作。

　　

　　公司中低壓MOS涵蓋N型和P型，反壓覆蓋-12V至200V，導通電阻低至1mΩ以下。針對電源領域尤其是PD電源和快充領域公司主推SpeedFET系列產品，該系列產品擊穿電壓30V-150V、導通0.65-15mΩ、驅動電壓均支持4.5V。該系列產品有比肩進口產品的優值（Qg*Rdson、Qgd*Rdson）和比導通電阻（Rdson*Area）。

　　

　　針對PD電源和快充領域主推650-700V高壓MOS，器件使用業內領先的超結技術，同樣實現了業內領先的優值（Qg*Rdson）和比導通電阻（Rdson*Area）。為了提升器件可靠性，器件集成了ESD保護功能，有效減少了外部干擾對器件的損害，提升了器件裝配和使用過程中的可靠性。同時器件集成可調Rg電阻能夠有效控制器件的開關速度，解決了超結器件使用過程中經常遇到的EMI問題。通過優化漂移區N和P柱的摻雜分布實現了高EAS特性，有效提升了器件的抗沖擊能力。

　　

　　公司基于汽車功率半導體器件平臺技術打造高可靠性產品，目前主要產品有溝槽MOSFET(20-200V)、SGT MOSFET(30-150V)、超級結MOSFET(600-900V)、集成快恢復二極管MOSFET(500-600V)、SIC二極管650V-1200V、SIC MOSFET 650V-1200V。有TO、SOP、DFN、SOT、WLCSP、TOLL、模塊等系列封裝形式，并持續開發更高功率密度，可靠性，散熱性能的封裝形式，廣泛應用于汽車、儲能、PC/服務器、PD等領域，并實現批量供貨。更多真茂佳產品手冊、參數等相關應用資料請向驪微電子申請。>>