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ID7S625 600V高壓逆變器驅(qū)動(dòng)芯片
品牌：芯朋微/安趨
型號(hào)：ID7S625SBC-R1
封裝：SOW16
功率：600V
電流：2.5A
型號(hào)：ID7S625SBC-R1
封裝：SOW16
功率：600V
電流：2.5A
訂購(gòu)熱線：0755-23087599
ID7S625高壓逆變器驅(qū)動(dòng)芯片其浮地通道能工作在60OV的高壓下，可用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)N溝道功率MOSFE或IGBT半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。具有獨(dú)立的高低側(cè)輸出通道。輸入信號(hào)可以兼容CMOS和LSTTL信號(hào)，邏輯輸入電平低至3V，具有大電流輸出能力。芯片內(nèi)置的延時(shí)匹配功能可以為更好的適配高頻應(yīng)用。
id7s625驅(qū)動(dòng)芯片特性
■ 高側(cè)浮動(dòng)偏移電壓600V
■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V/15V
■ 自舉工作的浮地通道
■ 芯片工作電壓范圍10V一20V
■ 所有通道均具有欠壓保護(hù)功能(UVLO)
■ 輸出電流能力2.5A
■ 所有通道均有延時(shí)匹配功能
id7s625芯片引腳圖
ID7S625芯片電路圖
備注：
1、IGBT的Vcc電源電壓應(yīng)為15V，MOEFET的則為I2V至15V
2、柵極和電源設(shè)備之間的下拉電阻器，值為10kQ
3、驅(qū)動(dòng)電路的開通關(guān)斷通道應(yīng)獨(dú)立，電陽(yáng)值根據(jù)功率器件而定
4、Vcc和自舉二極管之間的電阻，避免VBS dv/dt
應(yīng)用領(lǐng)域
■ DCDC轉(zhuǎn)換器
■ 功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)
■ DC/AC轉(zhuǎn)換器
ID7S625高壓逆變器驅(qū)動(dòng)芯片具有欠壓保護(hù)，超低的 VDD 工作電壓，10-20V 寬范圍工作電壓范圍，穩(wěn)健的 dV/dt 能力、VS 負(fù)偏壓能力，是高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片。可兼容替代ir2110驅(qū)動(dòng)芯片，典型應(yīng)用于逆變器、DCDC 變換器等領(lǐng)域。
